產(chǎn)品描述
此款碳化硅晶錠激光切片設(shè)備,是利用激光脈沖在晶錠內(nèi)部預(yù)設(shè)深度,形成碳化硅的非晶化破壞層,再借助外力作用,使晶片從非晶化層處分離,從而獲得目標(biāo)厚度的晶片;• 相比傳統(tǒng)多線切割技術(shù),激光切片總材料損耗率可降至20%左右,單片綜合成本降低50%以上,極大提高經(jīng)濟(jì)效益;
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